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数量:37 |
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| 规格书 |
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| 最大门源电压 | 20 |
| 安装 | Through Hole |
| 包装宽度 | 2.41(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 28400 |
| 最大漏源电压 | 650 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 1400@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-251 |
| 标准包装名称 | TO-251 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 6.22(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 3.2 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 安装风格 | Through Hole |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 3.2 A |
| 系列 | IPU60R1 |
| RDS（ON） | 1.4 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 功率耗散 | 28.4 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 商品名 | CoolMOS |
| 封装/外壳 | TO-251 |
| 零件号别名 | SP000931530 |
| 上升时间 | 7 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 9.4 nC |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| 宽度 | 2.38 mm |
| Qg - Gate Charge | 9.4 nC |
| 产品 | MOSFET |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 3.2 A |
| 长度 | 6.73 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.26 Ohms |
| 身高 | 6.22 mm |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| Pd - Power Dissipation | 28.4 W |
| 技术 | Si |
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